RN4911,LF(CT

RN4911,LF(CT

رقم القطعة: RN4911,LF(CT
الشركة المصنعة: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
الوصف: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • نوع التركيب Surface Mount
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
  • نوع الترانزستور 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • Power - Max 100mW
  • الحزمة / القضية SOT-563, SOT-666
  • حزمة جهاز المورد ES6
  • Resistor - Base (R1) 10kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
  • Frequency - Transition 200MHz, 250MHz