RN2106MFV,L3XHF(CT

RN2106MFV,L3XHF(CT

رقم القطعة: RN2106MFV,L3XHF(CT
تصنيف المنتجات: ترانزستورات أحادية القطبية متحيزة مسبقًا
الشركة المصنعة: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
الوصف: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: لا
العملة: USD

المواصفات

  • نوع التركيب Surface Mount
  • درجة Automotive
  • أقصى القوة 150 mW
  • مؤهل AEC-Q101
  • Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
  • الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى) 50 V
  • نوع الترانزستور PNP - Pre-Biased
  • الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) 100 mA
  • Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
  • الحزمة / القضية SOT-723
  • حزمة جهاز المورد VESM
  • Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
  • Frequency - Transition 250 MHz
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA