RN1911FE,LF(CT

RN1911FE,LF(CT

رقم القطعة: RN1911FE,LF(CT
تصنيف المنتجات: مصفوفات الترانزستور ثنائية القطب، متحيزة مسبقًا
الشركة المصنعة: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
الوصف: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: لا
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • نوع التركيب Surface Mount
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
  • Frequency - Transition 250MHz
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • Power - Max 100mW
  • الحزمة / القضية SOT-563, SOT-666
  • حزمة جهاز المورد ES6
  • نوع الترانزستور 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Resistor - Base (R1) 10kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V