RN1710JE(TE85L,F)

RN1710JE(TE85L,F)

رقم القطعة: RN1710JE(TE85L,F)
تصنيف المنتجات: مصفوفات الترانزستور ثنائية القطب، متحيزة مسبقًا
الشركة المصنعة: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
الوصف: NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: لا
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • نوع التركيب Surface Mount
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
  • Frequency - Transition 250MHz
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • Power - Max 100mW
  • Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
  • الحزمة / القضية SOT-553
  • حزمة جهاز المورد ESV
  • نوع الترانزستور 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)