QH8ME5TCR
رقم القطعة:
QH8ME5TCR
تصنيف المنتجات:
FET، صفائف MOSFET
الشركة المصنعة:
ROHM Semiconductor
الوصف:
100V 2A, DUAL NCH+PCH, TSMT8
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
لا
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- الحزمة / القضية 8-SMD, Flat Lead
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- إعدادات N and P-Channel
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2.5V @ 1mA
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- حزمة جهاز المورد TSMT8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
- Power - Max 1.1W (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 202mOhm @ 2A, 10V, 270mOhm @ 2A, 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 50V, 590pF @ 50V