QH8KE6TCR
رقم القطعة:
QH8KE6TCR
تصنيف المنتجات:
FET، صفائف MOSFET
الشركة المصنعة:
ROHM Semiconductor
الوصف:
100V 4A, DUAL NCH+NCH, TSMT8
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
لا
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2.5V @ 1mA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- إعدادات 2 N-Channel
- حزمة جهاز المورد TSMT8
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V
- Power - Max 1.1W (Ta)
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 50V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V
- الحزمة / القضية 8-SMD, Flat Leads