PSMN3R0-30YLD/2X
رقم القطعة:
PSMN3R0-30YLD/2X
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
Nexperia
الوصف:
PSMN3R0-30YLD/SOT669/LFPAK
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 4.5V, 10V
- في جي إس (الحد الأقصى) ±20V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 30 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 25A, 10V
- حزمة جهاز المورد LFPAK56, Power-SO8
- الحزمة / القضية SC-100, SOT-669
- ميزة FET Schottky Diode (Body)
- Power Dissipation (Max) 91W (Tc)
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2.2V @ 1mA
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 46.4 nC @ 10 V
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 2939 pF @ 15 V