PJD90P03E-AU_L2_006A1

PJD90P03E-AU_L2_006A1

رقم القطعة: PJD90P03E-AU_L2_006A1
تصنيف المنتجات: FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة: PANJIT
الوصف: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • نوع التركيب Surface Mount
  • درجة Automotive
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 4.5V, 10V
  • Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2.5V @ 250µA
  • درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
  • FET Type P-Channel
  • مؤهل AEC-Q101
  • استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 30 V
  • الحزمة / القضية TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • حزمة جهاز المورد TO-252AA
  • في جي إس (الحد الأقصى) ±25V
  • رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 68 nC @ 10 V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 20A, 10V
  • سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 3040 pF @ 25 V
  • Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 79W (Tc)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 88A (Tc)