NXH003P120M3F2PTNG
رقم القطعة:
NXH003P120M3F2PTNG
تصنيف المنتجات:
FET، صفائف MOSFET
الشركة المصنعة:
Sanyo Semiconductor/onsemi
الوصف:
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
التغليف:
Tray
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Chassis Mount
- الحزمة / القضية Module
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- إعدادات 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 200A, 18V
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 4.4V @ 160mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20889pF @ 800V
- حزمة جهاز المورد 36-PIM (56.7x62.8)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 435A (Tj)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1200nC @ 20V
- Power - Max 1.48kW (Tj)