NVMYS4D5N04CTWG
رقم القطعة:
NVMYS4D5N04CTWG
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
Sanyo Semiconductor/onsemi
الوصف:
T6 40V SL LFPAK
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- درجة Automotive
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 40 V
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 10V
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- مؤهل AEC-Q101
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 18 nC @ 10 V
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 1150 pF @ 25 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
- Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 55W (Tc)
- الحزمة / القضية SOT-1023, 4-LFPAK
- حزمة جهاز المورد LFPAK4 (5x6)
- في جي إس (الحد الأقصى) 20V
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 3.5V @ 50µA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 35A, 10V