NVMJD010N10MCLTWG
رقم القطعة:
NVMJD010N10MCLTWG
تصنيف المنتجات:
FET، صفائف MOSFET
الشركة المصنعة:
Sanyo Semiconductor/onsemi
الوصف:
PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUA
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- درجة Automotive
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- مؤهل AEC-Q101
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- إعدادات 2 N-Channel
- الحزمة / القضية SOT-1205, 8-LFPAK56
- حزمة جهاز المورد 8-LFPAK
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.8A (Ta), 62A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 3V @ 97µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.4nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1795pF @ 50V
- Power - Max 3.1W (Ta), 84W (Tc)