NTMFS1D1N04XMT1G
رقم القطعة:
NTMFS1D1N04XMT1G
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
Sanyo Semiconductor/onsemi
الوصف:
40V T10M IN S08FL PACKAGE
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 40 V
- في جي إس (الحد الأقصى) ±20V
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 10V
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- حزمة جهاز المورد 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- الحزمة / القضية 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 3.5V @ 120µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Ta), 233A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05mOhm @ 30A, 10V
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 49.3 nC @ 10 V
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 3138 pF @ 25 V