NSF080120L4A0Q
رقم القطعة:
NSF080120L4A0Q
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
Nexperia
الوصف:
NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
التغليف:
Tube
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Through Hole
- FET Type N-Channel
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 1200 V
- الحزمة / القضية TO-247-4
- حزمة جهاز المورد TO-247
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 15V, 18V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- في جي إس (الحد الأقصى) +22V, -10V
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 52 nC @ 15 V
- Power Dissipation (Max) 183W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2.9V @ 2mA
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 1335 pF @ 800 V