IPP70N10S3L12AKSA2
رقم القطعة:
IPP70N10S3L12AKSA2
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
IR (Infineon Technologies)
الوصف:
MOSFET_(75V 120V(
التغليف:
Tube
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Through Hole
- درجة Automotive
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 4.5V, 10V
- في جي إس (الحد الأقصى) ±20V
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 100 V
- الحزمة / القضية TO-220-3
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- مؤهل AEC-Q101
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 80 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
- حزمة جهاز المورد PG-TO220-3-1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2.4V @ 83µA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1mOhm @ 70A, 10V
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 5570 pF @ 25 V