IPP034N08N5XKSA1
رقم القطعة:
IPP034N08N5XKSA1
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
IR (Infineon Technologies)
الوصف:
TRENCH 40<-<100V
التغليف:
Tube
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 6V, 10V
- في جي إس (الحد الأقصى) ±20V
- الحزمة / القضية TO-220-3
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 80 V
- Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
- حزمة جهاز المورد PG-TO220-3-1
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 3.8V @ 108µA
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 87 nC @ 10 V
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 6240 pF @ 40 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V