IMB2AT110

IMB2AT110

رقم القطعة: IMB2AT110
الشركة المصنعة: ROHM Semiconductor
الوصف: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: نعم
العملة: USD

المواصفات

  • نوع التركيب Surface Mount
  • Frequency - Transition 250MHz
  • Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • Power - Max 300mW
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
  • Resistor - Base (R1) 47kOhms
  • الحزمة / القضية SC-74, SOT-457
  • حزمة جهاز المورد SMT6
  • نوع الترانزستور 2 PNP - Pre-Biased (Dual)