IAUCN04S7N030ATMA1
رقم القطعة:
IAUCN04S7N030ATMA1
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
IR (Infineon Technologies)
الوصف:
MOSFET_(20V 40V)
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- درجة Automotive
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 100°C
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 40 V
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 10V
- مؤهل AEC-Q101
- الحزمة / القضية 8-PowerTDFN
- حزمة جهاز المورد PG-TDSON-8-33
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A