HT8KC5TB1
رقم القطعة:
HT8KC5TB1
تصنيف المنتجات:
FET، صفائف MOSFET
الشركة المصنعة:
ROHM Semiconductor
الوصف:
60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
لا
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- الحزمة / القضية 8-PowerVDFN
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2.5V @ 1mA
- إعدادات 2 N-Channel
- Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
- حزمة جهاز المورد 8-HSMT (3.2x3)
- Power - Max 2W (Ta), 13W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.5A, 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 135pF @ 30V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta), 10A (Tc)