GSJU6508
رقم القطعة:
GSJU6508
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
Good Ark Semiconductor
الوصف:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 8.00A, 650
التغليف:
Tube
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 10V
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- في جي إس (الحد الأقصى) ±30V
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 4V @ 250µA
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 650 V
- الحزمة / القضية TO-220-3 Full Pack
- حزمة جهاز المورد TO-220F
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 20 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
- Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 675 pF @ 100 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 580mOhm @ 2A, 10V