G220P03D32
رقم القطعة:
G220P03D32
تصنيف المنتجات:
FET، صفائف MOSFET
الشركة المصنعة:
Goford Semiconductor
الوصف:
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الحزمة / القضية 8-PowerVDFN
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2V @ 250µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- إعدادات 2 P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 3A, 10V
- حزمة جهاز المورد 8-DFN (3.15x3.05) Dual
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1305pF @ 15V
- Power - Max 30W (Tc)