G180C06Y
رقم القطعة:
G180C06Y
تصنيف المنتجات:
FET، صفائف MOSFET
الشركة المصنعة:
Goford Semiconductor
الوصف:
MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
التغليف:
-
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
- الحزمة / القضية TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
- حزمة جهاز المورد TO-252-4
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V