G170P02D32
رقم القطعة:
G170P02D32
تصنيف المنتجات:
FET، صفائف MOSFET
الشركة المصنعة:
Goford Semiconductor
الوصف:
MOSFET P+P-CH 20V 20A 15W DFN3*3
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الحزمة / القضية 8-PowerVDFN
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 1V @ 250µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
- إعدادات 2 P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 6A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2193pF @ 10V
- Power - Max 15W (Tc)
- حزمة جهاز المورد 8-DFN (3.15x3.05) Dual