EMD5T2R

EMD5T2R

رقم القطعة: EMD5T2R
الشركة المصنعة: ROHM Semiconductor
الوصف: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: نعم
العملة: USD

المواصفات

  • نوع التركيب Surface Mount
  • Frequency - Transition 250MHz
  • Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
  • Power - Max 150mW
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • الحزمة / القضية SOT-563, SOT-666
  • حزمة جهاز المورد EMT6
  • نوع الترانزستور 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
  • Resistor - Base (R1) 47kOhms, 4.7kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms, 10kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V