EMB3T2R
رقم القطعة:
EMB3T2R
تصنيف المنتجات:
مصفوفات الترانزستور ثنائية القطب، متحيزة مسبقًا
الشركة المصنعة:
ROHM Semiconductor
الوصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
التغليف:
Tape & Reel (TR)
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- Frequency - Transition 250MHz
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Power - Max 150mW
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- الحزمة / القضية SOT-563, SOT-666
- Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
- حزمة جهاز المورد EMT6
- نوع الترانزستور 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 5mA