DI200N10D2
رقم القطعة:
DI200N10D2
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
Diotec Semiconductor
الوصف:
IC
التغليف:
Bulk
حالة RoHS:
لا
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- في جي إس (الحد الأقصى) ±20V
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 100 V
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 10V
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 4V @ 250µA
- الحزمة / القضية TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- حزمة جهاز المورد TO-263AB (D2PAK)
- Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 262 nC @ 10 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 120A, 10V
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 16800 pF @ 50 V