DI110N04PQ
رقم القطعة:
DI110N04PQ
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
Diotec Semiconductor
الوصف:
IC
التغليف:
Bulk
حالة RoHS:
لا
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- حزمة جهاز المورد 8-QFN (5x6)
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 40 V
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 4.5V, 10V
- في جي إس (الحد الأقصى) ±20V
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 2.5V @ 250µA
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الحزمة / القضية 8-PowerTDFN
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 48 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 55.5W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 23A, 10V
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 2980 pF @ 25 V