DI035P02PT
رقم القطعة:
DI035P02PT
تصنيف المنتجات:
FETs الفردية، MOSFETs
الشركة المصنعة:
Diotec Semiconductor
الوصف:
IC
التغليف:
Bulk
حالة RoHS:
لا
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التركيب Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الحزمة / القضية 8-PowerVDFN
- FET Type P-Channel
- استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) 20 V
- في جي إس (الحد الأقصى) ±12V
- Vgs(ال) (ماكس) @ معرف 1.2V @ 250µA
- رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 58 nC @ 10 V
- جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) 2.5V, 10V
- Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V
- حزمة جهاز المورد 8-QFN (3x3)
- سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 6850 pF @ 10 V